Puerta DRVR IGBT de IC/ZXGD MOSFET3009E6TA

DescripcióN

ZXGD3009E6TA: MOSFET DRVR 3A 1-de alta velocidad Non-Inv6 Polos SOT-26 T/R  

El paquete:SOT23-6

Mfr.La parte#:ZXGD3009E6TA

Diodos Mfr.

Hoja de datos: 

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RoHS estado: 

Calidad:100% Original

GarantíA:180 díAs
 

ZXGD3009E6 es una alta velocidad no invertir solo controlador de puerta para la conmutacióN de MOSFETs.Puede transferir hasta 2 un pico de corriente de fuentes y sumideros en la puerta para la eficacia de la carga y descarga de la carga capacitiva.Esta puerta conductor garantiza una ráPida conmutacióN de los MOSFET para minimizar las péRdidas de energíA y la distorsióN en las aplicaciones de conmutacióN de alta corriente.Puede normalmente la unidad 1A en la puerta de baja impedancia con tan sóLo 10mA entrada desde un controlador.AdemáS, el encender y apagar cambiar el comportamiento de los MOSFET pueden ser individualmente para adaptarla a una aplicacióN.En particular, al definir las caracteríSticas de conmutacióN de forma adecuada, EMI y conduccióN de la cruz de los problemas pueden ser reducidos.

CaracteríSticas clave

• ÁRea de influencia de alta ganancia con 1Aoutput normalmente de 10mA entrada
• Seguidor de emisor que es resistente a la traba de seguridad y disparar a travéS de los problemas
• Amplia la tensióN de alimentacióN para minimizar las péRdidas en
• Otra fuente y fregadero salidas para el control independiente de MOSFET encender y apagar veces
• Pin-out optimizado para simplificar el diseñO de PCB y reducir la traza inductances parasitarias
• Casi sin corriente de alimentacióN inactivo
• Libre de Plomo RoHS totalmente y completamente compatible con
• HalóGeno y exento de antimonio.Dispositivo de "Verde"

La líNea de productos de la empresa

 

Los certificados



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