Categoría del producto: | MOSFET | |
RoHS: | Más detalles | |
Tecnología: | Si | |
Estilo de montaje: | SMD/SMT | |
Package / Caso: | SOT-23-3 | |
El transistor Polaridad: | Canal N | |
Número de canales: | El canal 1 | |
- Tensión de ruptura Drain-Source Vds: | 100 V | |
Id - drenaje continuo de corriente: | 170 mA | |
Rds - Resistencia Drain-Source: | 6 ohmios | |
Vgs - Gate-Source tensión: | - 20 V, + 20 V | |
Vgs th - Gate-Source Tensión umbral: | 1,6 V | |
Compuerta QG - Cargo: | - | |
Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55 C | |
Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150 C | |
Pd: disipación de energía: | 225 mW | |
El modo de canal: | Mejoramiento | |
Embalaje: | El tambor | |
Embalaje: | ||
Embalaje: | ||
Marca: | ||
Configuración: | Solo | |
Adelante Transconductancia - Min: | 80 mS | |
Altura: | 0.94 mm | |
Longitud: | 2.9 mm | |
Producto: | De pequeña señal MOSFET | |
Tipo de producto: | MOSFET | |
Serie: | BSS123L | |
30000 | ||
Subcategoría: | MOSFETs | |
Tipo de transistor: | 1 N-Channel | |
Tipo: | MOSFET | |
Turn-Off típico Tiempo de Demora: | 40 ns | |
Turn-On típico Tiempo de Demora: | 20 ns | |
Ancho: | 1,3 mm | |
Unidad de peso: | 0.000282 oz. |