IRLML2502TRPBF MOSFET N-CH 20V 4,2A HEXFET SOT-23

No. de Modelo.
IRLML2502TRPBF
paquete
SOT-23
calidad
original nuevo
D/C
20+
MFG.
INFINEON
Paquete de Transporte
Box
Origen
China
Código del HS
8542390000
Capacidad de Producción
1000000PCS
Precio de referencia
$ 0.14 - 5.40
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Descripción de Producto

Descripción

IRLML2502TRPBF:   MOSFET trans N-CH 20V 4,2A 3-pin Micro T/R - cinta y carrete

Paquete: SOT-23

MFR. Nº de pieza: IRLML2502TRPBF

MFR.: INFINEON

Hoja de datos:   IRLML2502TRPBF MOSFET N-Ch 20V 4.2A HEXFET SOT-23 (Enviar por correo electrónico o charlar para el archivo PDF)

Estado DE RoHS:   IRLML2502TRPBF MOSFET N-Ch 20V 4.2A HEXFET SOT-23

Calidad: 100% original

Garantía: UN AÑO


 

UE RoHS Cumple  
ECCN (EE.UU.) EAR99
Estado de la pieza Activo
HTS 8541.29.00.95
Automoción No
PPAP No
Categoría de producto MOSFET de potencia
Material Si
Configuración Individual
Tecnología de procesos HEXFET
Modo de canal Mejora
Tipo de canal N
Número de elementos por chip 1
Tensión máxima de la fuente de drenaje (V) 20
Tensión máxima de la fuente de la puerta (V) ±12
Tensión de umbral de puerta máxima (V) 1,2
Temperatura de funcionamiento de la unión (°C) -55 a 150
Corriente de vaciado continua máxima (A) 4,2
Corriente de fuga máxima de la fuente de inyección (na) 100
IDSS máximo (UA) 1
Resistencia máxima de la fuente de drenaje (mOhm) 45@4.5V
Carga de puerta típica a VGS (NC) 8@5V
Carga típica de puerta a drenaje (NC) 1,7
Carga típica de puerta a fuente (NC) 1,8
Carga de recuperación inversa típica (NC) 8,6
Capacitancia de entrada típica en VDS (PF) 740@15V
Capacitancia de transferencia inversa típica en VDS (PF) 66@15V
Tensión mínima de umbral de puerta (V) 0,6
Capacitancia de salida típica (PF) 90
Disipación de potencia máxima (mW) 1250
Tiempo de caída típico (ns) 26
Tiempo de subida típico (ns) 10
Tiempo de retardo de apagado típico (ns) 54
Tiempo de retardo de encendido típico (ns) 7,5
Temperatura de funcionamiento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamiento máxima (°C) 150
Embalaje Cinta y carrete
Corriente de vaciado pulsada máxima a TC=25°C (A) 33
Resistencia térmica ambiente de empalme máxima en PCB (°C/W) 100
Tensión típica de meseta de puerta (V) 2,1
Tiempo de recuperación inversa típico (ns) 16
Tensión máxima de avance de diodo (V) 1,2
Tensión de fuente de puerta positiva máxima (V) 12
Recuento de PIN 3
Nombre paquete estándar SOT
Paquete de proveedor SOT-23
Montaje Montaje superficial
Altura del paquete 1,02 (máx.)
Longitud del paquete 3,04 (máx.)
Anchura del paquete 1,4 (máx.)
Cambio de PCB 3
Forma del cable Ala de gaviota


IRLML2502TRPBF MOSFET N-Ch 20V 4.2A HEXFET SOT-23






 


IRLML2502TRPBF MOSFET N-Ch 20V 4.2A HEXFET SOT-23


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