| MODELLO | Piastra CTP termica positiva CXK-K1 | |
| PARAMETRO | Sensibilità spettri | 830 nm |
| Potenza laser | 110 mj/centimetro quadrato-140 mj/centimetro quadrato | |
| Risoluzione | 1-99% 200 lpi/10μFM | |
| Compatibilità UV | Compatibile dopo il forno | |
| Condizione di cottura | 230-250°C,8-12Minutes (applicato con soluzione di cottura in piastra) | |
| Spessore | 0,15 mm - 0,40 mm | |
| Larghezza massima | 1200 mm | |
| Conservazione | Conservare in luogo fresco e asciutto, a una temperatura di 5-30°C, RH≤60% | |
| Durata a magazzino | 18 mesi | |
| SVILUPPO | Sviluppatore/Replenisher | CXK-K1-DVP |
| Temperatura di sviluppo | 24°C±2°C. | |
| Velocità di processo | 20 S±5 S. | |
| Tasso di rifornimento | Dinamica 100 ml/metro quadro statico 40 ml/h. | |
| Velocità pennello | 90 giri/min | |
| Sostituzione di sostanze chimiche | 2500-3000 metri quadrati (non oltre 8 settimane) | |
| ATTENZIONE | Gum. Piastra | Suggerite di usare gomma di buona qualità |
| Attenzione ai graffi | Maneggiare con cura | |
| Leggera regolazione | Nel caso in cui sia necessaria una leggera regolazione, si suggerisce di estendere il tempo di sviluppo piuttosto che di aumentare la temperatura dello sviluppatore. | |