Principali parametri tecnici
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MODELLO
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Piastra CTP termica positiva CXK-K1
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PARAMETRO
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Sensibilità spettri
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830 nm
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Potenza laser
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110 mj/centimetro quadrato-140 mj/centimetro quadrato
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Risoluzione
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1-99% 200 lpi/10μFM
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Compatibilità UV
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Compatibile dopo il forno
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Condizione di cottura
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230-250°C,8-12Minutes (applicato con soluzione di cottura in piastra)
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Spessore
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0,15 mm - 0,40 mm
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Larghezza massima
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1200 mm
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Conservazione
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Conservare in luogo fresco e asciutto, a una temperatura di 5-30°C, RH≤60%
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Durata a magazzino
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18 mesi
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SVILUPPO
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Sviluppatore/Replenisher
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CXK-K1-DVP
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Temperatura di sviluppo
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24°C±2°C.
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Velocità di processo
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20 S±5 S.
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Tasso di rifornimento
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Dinamica 100 ml/metro quadro statico 40 ml/h.
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Velocità pennello
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90 giri/min
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Sostituzione di sostanze chimiche
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2500-3000 metri quadrati (non oltre 8 settimane)
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ATTENZIONE
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Gum. Piastra
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Suggerite di usare gomma di buona qualità
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Attenzione ai graffi
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Maneggiare con cura
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Leggera regolazione
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Nel caso in cui sia necessaria una leggera regolazione, si suggerisce di estendere il tempo di sviluppo piuttosto che di aumentare la temperatura dello sviluppatore.
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