Nuovo MOSFET a chip IC originale 2n -CH 30V 5,8A 8 SOIC Si4816bdy-T1-E3
Model No.
SI4816BDY-T1-E3
Pacchetto di Trasporto
Standard Package
Specifiche
0.006596 oz
Marchio
Vishay / Siliconix
Origine
Original
Codice SA
8542900000
Capacità di Produzione
100000PCS/Day
Prezzo di riferimento
$ 0.09 - 0.18
Descrizione
Descrizione del Prodotto
NUOVO MOSFET A CHIP IC ORIGINALE 2N-CH 30V 5,8A 8 SOIC SI4816BDY-T1-E3
| N. modello | SI4816BDY-T1-E3 |
| Marchio | Vishay/Siliconix |
| Categoria prodotto | MOSFET |
| D/C. | Più recente |
| Origine | Originale |
| Condizione | Nuovo e originale |
| Descrizione | Microcontrollori |
| Specifiche | Standard |
| Imballaggio | Vassoio, bobina, schiuma, scatola |
| Tempo di consegna | 1-5 giorni lavorativi |
| Termine di pagamento | TT/Paypal/Western Union/Escrow |
| Metodo di spedizione | DHL/UPS/FEDEX/EMS/TNT |
Attributi del prodotto
| Categoria prodotto | MOSFET | Tecnologia | Si |
| Confezione / contenitore | SOIC-8 | Tipo di montaggio | SMD/SMT |
| Polarità del transistor | Canale N. | Numero di canali | 2 canali |
| VDS - tensione di breakdown drain-source | 30 V. | ID - corrente di scarico continua | 6.8 A, 11.4 A |
| RDS ON - resistenza drain-source | 11.5 mOhm, 18.5 mOhm | VGS - tensione gate-source | - 20 V, + 20 V. |
| VGS Th - tensione soglia gate-source | 1 V. | QG - carica gate | 7.8 NC, 11.6 NC |
| Temperatura di esercizio minima | - 55 C. | Temperatura di esercizio massima | + 150 C |
| PD - dissipazione di potenza | 1.4 W, 2.4 W. | Modalità canale | Miglioramento |
| Tempo di caduta | 9 ns, 11 ns | Tempo di ritardo all'accensione tipico | 11 ns, 13 ns |
| Tempo di salita | 9 ns, 9 ns | Tempo tipico di ritardo di spegnimento | 24 ns, 31 ns |
| Configurazione | Singolo | Tipo di transistor | 2 canale N. |
| Tipo di prodotto | MOSFET | Sottocategoria | MOSFET |
Profilo aziendale
Principali distributori di componenti elettronici
Team di vendita professionale
Team prodotti professionali
Certificazioni
Marchi cooperativi
Imballaggio e spedizione
FQA
Circuito integrato
-
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