IGBT-Modul Dgc40c120m2t

Modell Nr.
DGC40C120M2T
Chargennummer
2023
Marke
Wxdh
Transportpaket
Econopack2
Warenzeichen
WXDH
Herkunft
Wuxi, China
HS-Code
8541290000
Referenzpreis
$ 24.71 - 27.45
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Produktbeschreibung

IGBT Module Dgc40c120m2t IGBT Module Dgc40c120m2t IGBT Module Dgc40c120m2t IGBT Module Dgc40c120m2t
 40A 1200V PIM in einem Paket

1 Beschreibung
Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwendeten fortschrittliche Graben- und
Fieldstop Technologie Design, lieferte ausgezeichnete VCEsat und Switching
Geschwindigkeit, geringe Gate-Ladung. Entspricht der RoHS-Norm.
 
Funktionen
Niedrige Gate-Ladung
Ausgezeichnete Schaltgeschwindigkeit
Einfache Parallelschaltung durch positive Temperatur
Koeffizient in VCEsat
TSC≥10μs
Schnelle Wiederherstellung Vollstrom-Anti-Parallel-Diode
VCEsat niedrig
Anwendungen
Schweißen
USV
Dreistufiger Wechselrichter
AC/DC-Wandler
AC- und DC-Servoverstärker
 
Typ VCE IC VCEsat,Tj=25ºC Tjop Paket
DGC40C120M2T 1200V 40A (Tj=100ºC) 1,7V (Typ.) 150ºC EconOPACK2


Elektrische Eigenschaften
5,1 absolute Maximalwerte (IGBT-Wechselrichter/IGBT-Bremse) (TC=25ºC, sofern nicht anders angegeben)
PARAMETER SYMBOL WERT EINHEIT
     
Kollektor-Emitter-Spannung VCE 1200 V
Gate-zu-Emitter-Spannung VGE ±30 V
DC-Kollektorstrom IC   Tj=25ºC 80 A
TJ=100ºC 40 A
Gepulster Kollektorstrom #1 ICM 160 A
 

5,2 Absolute maximale Nennwerte (Diode-Wechselrichter) (TC=25ºC, sofern nicht anders angegeben)
PARAMETER SYMBOL WERT EINHEIT
     
Repetitive Spitzenspannung VRRM 1200 V
Gleichstromblockspannung VR 1200 V
Durchschnittlicher Korrigierter Durchlaufstrom IF (AV) 40 A
Repetitiver Spitzenspannungsstrom IFRM 60 A
Nicht wiederholender Spitzenspannungsstrom (einfach) /tp=1,0ms IFSM 400 A

5,3 absolute maximale Nennwerte (Diodengleichrichter) (TC=25ºC, sofern nicht anders angegeben)
PARAMETER SYMBOL WERT EINHEIT
     
Repetitive Spitzenspannung VRRM 1600 V
Bei Rückwärtsfahrt wird die Spitzenspannung / IRRM=5μA nicht wiederholt VRSM 2000 V
Durchschnittlicher Korrigierter Durchlaufstrom IF (AV) 25 A
Nicht wiederholender Spitzenspannungsstrom (einfach) / tp=10ms IFSM 320 A
I2T-Wert / tp=10ms, sin 180 Grad I2t 512 A2s

5,4 absolute maximale Nennwerte (Diodenbremse) (TC=25ºC, sofern nicht anders angegeben)
PARAMETER SYMBOL WERT EINHEIT
     
Repetitive Spitzenspannung VRRM 1200 V
Gleichstromblockspannung VR 1200 V
Durchschnittlicher Korrigierter Durchlaufstrom IF (AV) 20 A
Repetitiver Spitzenspannungsstrom IFRM 30 A
Nicht wiederholender Spitzenspannungsstrom (einfach) /tp=1,0ms IFSM 300 A


5,5 IGBT-Modul
PARAMETER SYMBOL WERT EINHEIT
     
Sperrschicht-Temperaturbereich (Inverter/Bremse) Tjmax -45~175 ºC
Temperaturbereich der Verbindungsstelle (Dioden-Gleichrichter) Tjmax -45~150 ºC
Temperatur Der Anschlussstelle Bei Betrieb Tjop -45~150 ºC
Lagertemperaturbereich Tstg -45~150 ºC
Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min VISO 2500 A




 

 

Transistor

GOUV.NE, 2023