Convertidor DC-DC de alimentación conmutada de Vds-80V-840ID de la RDS (ON) -2.6milliohm Qg-148.1ncto263 Sfg280n08kf Mosfet Enhancemenn-Channel

No. de Modelo.
TO263 SFG280N08KF
Estructura
planar
Estructura de encapsulación
chip de transistor
Nivel de potencia
Alto Voltaje
Material
Germanio
Paquete de Transporte
Carton
Especificación
35x30x37cm
Marca Comercial
Orientalsemi
Origen
China
Código del HS
8541290000
Capacidad de Producción
Over 1kk/Month
Precio de referencia
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Descripción de Producto

  Descripción general
SFGMOS   MOSFET®   se   basa   en el     semiconductor orientales   exclusivo     diseño del dispositivo   para   lograr   bajo   RDS ( on ) ,  bajo la   puerta de   carga , el   cambio rápido   y   excelentes     características de avalancha . El   alto de la     serie V   está   especialmente optimizado   para     sistemas de alta         tensión de la conducción con puerta   superior a    10 V.
 

Características
       Bajo   RDS ( on ) y la   FOM
       Extremadamente   baja     pérdida de conmutación
       Excelente   estabilidad   y   uniformidad
         El cambio rápido   y   la recuperación de software  


Aplicaciones
             Fuente de alimentación conmutada
         Controlador de motor
         Protección de la batería
         Convertidor DC-DC
         El inversor solar
       UPS   y     convertidor de energía


    Los parámetros de rendimiento clave
 
El parámetro Valor Unidad
VDS , min   @ Tj ( máx. ). 80 V
  Pulso, ID. 840 Un
RDS ( on ), max   @ VGS   =10 V 2.6 MΩ
Qg 148.1 NC


  Máximo absoluto de los   índices   en el   TJ   =25° C   a menos que     se indique lo contrario
 
El parámetro Símbolo Valor Unidad
Vaciar la     tensión de fuente VDS. 80 V
La puerta la     tensión de fuente VGS ± 20 V
    Corriente de drenaje continuo 1) , TC =25 ° C ID. 280 Un
Impulsos de     corriente de drenaje 2) , TC =25 ° C   Pulso, ID. 840 Un
  Diodo continua     corriente 1) , TC =25 ° C Es 280 Un
El diodo     corriente pulsada 2) , TC =25 ° C Es , el pulso 840 Un
  Disipación de potencia 3) , TC =25 ° C PD 375 W
Solo     avalancha de pulsos de   energía 5). EAS 1000 MJ
Funcionamiento   y la     temperatura de almacenamiento Tstg   , Tj -55 a  150 ° C.


Las   características térmicas
El parámetro Símbolo Valor Unidad
  Resistencia térmica , en la intersección de los casos RθJC 0.33 ° C / W
  Resistencia térmica , junction ambiente 4 ). RθJA 62 ° C / W


  Características eléctricas   en   Tj   =25° C   a menos que   se   especifique lo contrario
 
El parámetro Símbolo Min . Tip . Max . Unidad   Condición de prueba
Vaciar el origen de la            tensión de ruptura BVDSS 80     V VGS   =0   V , ID   =250 pA
  El umbral de puerta
La tensión 		VGS ( a ) 2.0   4.0 V VDS   = VGS , ID =250 pA
Fuente de drenaje
En el estado de la   resistencia 		RDS ( on )   2.4 2.6 MQ VGS   =10 V , ID =20
Fuente de puerta.
  Corriente de fuga.
IGSS 		    100
NA 		VGS   =20 V
    -  100 VGS   = -20 V
Fuente de drenaje
  Corriente de fuga. 		IDSS     1 PA VDS   = 80 V , VGS   =0 V


Nota
1 ) se    calcula   una   corriente continua   basada   en la   máxima   admisible de     temperatura de unión .
2 )      calificación repetitivos ; el   ancho de pulso   limitada   por   un máximo de   temperatura de unión .
3 )    PD   se   basa   en   un máximo de   temperatura de unión , mediante el   cruce de los casos   la   resistencia térmica .
4 )      El   valor   de   RθJA   se   mide   con   el   dispositivo   montado   en el  1 de  2 FR -4 junta    2 oz . El cobre ,  en   el     aire   ambiente   con   TA =25 ° C.
5)      VDD =50 V , VGS =10 V , L =0,3 mH , a partir de   Tj   =25 ° C.


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Paquete
Tipo 		Las unidades/.
El tambor 		Los tambores   /       Cuadro interior Las unidades     interiores   de la caja/.   Cuadros /   caja de cartón interior   Unidades /       caja de cartón  
A 263- C 800 1 800 5 4000



  Información del producto
Producto Paquete Pb   Free RoHS   Libre de halógenos
SFG 280 N 08 KF A 263 Sí Sí Sí



 
La cadena de suministro DC-DC Converter Vds-80V ID-840A RDS (ON) -2.6milliohm Qg-148.1ncto263 Sfg280n08kf N Channel Mosfet



Declaración de los productos verdes

 

 

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