Produkt-Beschreibung
Silikon Hetero Verzweigungs-Technologie (HJT) basiert auf einem Emitter und einem rü Ckseitigen Oberflä Chenbereich, (BSF) die durch Wachstum der niedrigen Temperatur der ultradü Nnen Schichten formlosen Silikons produziert werden (ein-Si: H) auf beiden Seiten der sehr gut gesä Uberten Monosilikonoblaten, weniger μ M als 200 in der Stä Rke, in der Elektronen und Lö Cher photogenerated. Sind
|
|
|
Solarzellen des Hetero (HJT) Verzweigungs-Technologiesilikons haben viel Aufmerksamkeit, weil sie hohe Konvertierungs-Leistungsfä Higkeiten erzielen kö Nnen, bis 25% erregt, bei der Anwendung der niedrigen aufbereitenden Temperatur, gewö Hnlich unterhalb ° C 250 fü R den kompletten Prozess. Niedrige aufbereitende Temperatur erlaubt das Handhaben der Silikonoblaten von weniger μ M als 100 dick beim Beibehalten eines hohen Ertrags
Hauptmerkmale
Hohes EFF und hohes VOC
|
Weitere Einzelheiten
|
|
In Verbindung stehende Produkte