Wir produzieren unsere Halbleitermaterialien unter strengsten Qualitätskontrollen. Wir arbeiten nur mit modernster Epitaxie-, Verarbeitungs- und Facettenbeschichtungstechnologie. Unsere Bars, Semi-Bars und Single Emitter für Hochleistungs-Diodenlaser erfüllen somit höchste Ansprüche: Sie sind äußerst zuverlässig, effizient und langlebig. Unsere Halbleiterprodukte lassen sich einfach mit Standard-Lötverfahren montieren.
Funktion
5nm Bandbreite, 100um Emitterbreite
1W/A Hangwirkungsgrad, 50 % Umwandlungswirkungsgrad
Optimiertes epitaxiales Strukturdesign
Einzigartige Technologie für höchste Zuverlässigkeit und Lebensdauer
Anwendung
Faserlaser-Pumpquelle
Autonomes Fahren Lidar
Freie Raum optische Kommunikation
Laserbeleuchtung
Produktfoto
Optisch | Min | Typ | Max |
Zentrale Wellenlänge | 966nm | 976nm | 986nm |
Ausgangsleistung | 2W | ||
Arbeitsmodus | IM UHRZEIGERSINN | ||
Breite Des Spektrums | 5nm | ||
Emitterbreite | 100um | ||
Anzahl der Emitter | 1 | ||
Emitter Pitch | 100um | ||
Spänebreite | 490um | 500um | 510um |
Formnest | 980um | 1000um | 1020um |
Dicke | 130um | 135um | 145um |
Schnelle Achs-Divergenz (FWHM) | 35deg | ||
Langsame Achs-Divergenz (FWHM) | 10deg | ||
Polarisationsmodus | TE | ||
Neigungseffizienz | 0,95W/A | 1W/A | |
Elektrisch | |||
Betriebsstrom Iop | 2,5A | ||
Schwellenwert Strom Ith | 0,4A | ||
Betriebsspannung Vop | 1,6V | ||
Effizienz Der Konvertierung | 50 % | ||
Thermisch | |||
Testtemperatur | 25ºC | ||
Temperaturkoeffizient Der Wellenlänge | 0,35nm/ºC |
Lieferung Und Verpackung