(Componentes electrónicos de alta tensión) NPN transistores de silicio Mmbt5551LT1g

No. de Modelo.
MMBT5551LT1G
cantidad mínima de embalaje
2500 unidades
capacidad de suministro
1000000 piezas por mes
Paquete de Transporte
Carton Box
Especificación
22x17
Marca Comercial
EDT
Origen
Zhejiang
Código del HS
8529905000
Capacidad de Producción
1000000
Precio de referencia
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Descripción de Producto

Descripción general
Detalles de la rápida
Número de modelo:       BZX84C3V9
Tipo:                circuito integrado

Lugar de origen:       Guangdong, China

Nombre de marca:         NSGD

Aplicaciones:         Aplicaciones industriales
La capacidad de suministro
1000000 de la capacidad de suministro de piezas/piezas al mes

 
Embalaje y Entrega
plazo de entrega:
La cantidad(piezas) 1   -   1000 >1000
Est. El tiempo (días) 7 Se negociará
(Electronic Components) High Voltage NPN Silicon Transistors Mmbt5551lt1g






(Electronic Components) High Voltage NPN Silicon Transistors Mmbt5551lt1g
(Electronic Components) High Voltage NPN Silicon Transistors Mmbt5551lt1g

 

Circuito Integrado

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