Boost PFC AEC-Q101-qualifizierter RoHS Moter-Treiber Osg65r099hszaf TO247 VdS 650V RDS99mΩ Diode-MOSFET mit schneller Wiederherstellung

Modell Nr.
OSG65R099HSZAF TO247
Warenzeichen
Orientalsemiconductor
Herkunft
China
HS-Code
854129000
Produktionskapazität
20kkkk/Monthly
Referenzpreis
$ 1.62 - 1.80
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Produktbeschreibung

Allgemeine Beschreibung
Der GreenMOS ® Hochspannungs-MOSFET nutzt Ladungsausgleich-Technologie, um einen außergewöhnlich niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladung zu erreichen. Es wurde entwickelt, um Leitungsverluste zu minimieren, eine überlegene Schaltleistung und robuste Lawinenleistung zu bieten.
Die GreenMOS ® Z-Serie ist mit einer Fast Recovery Diode (FRD) integriert, um die Rückkehrzeit zu minimieren. Es eignet sich für resonante Schalttopologien, um einen höheren Wirkungsgrad, eine höhere Zuverlässigkeit und einen kleineren Formfaktor zu erreichen.

Funktionen                                                                                                    
  • Niedriger RDS (ein) und FOM
  • Extrem geringe Schaltverluste
  • Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
  • Ultraschnelle und robuste Diode
  • AEC-Q101 qualifiziert für Automotive -Anwendungen

Anwendungen
  • PC -Stromversorgung
  • Telekommunikationsleistung
  • Serverleistung
  • EV -Ladegerät
  • Motortreiber

Wichtige Leistungsparameter

 
Parameter Wert Einheit
VDS 650 V
ID , Impuls 96 A
RDS (EIN), MAX . @ VGS =10V 99 MΩ
Qg 66,6 NC

Markierungsinformationen

 
Produktname Paket Markierung
OSG65R099HSZAF TO247 OSG65R099HSZA


Der HTRB-Test wurde bei 600V strenger durchgeführt als der AEC-Q101 Rev.C (80 % V (BR)DSS ). Alle anderen Tests wurden gemäß AEC Q101 Rev. E. durchgeführt
 
Absolute Höchstwerte bei Tj =25 Grad, sofern nicht anders angegeben
 
Parameter Symbol Wert Einheit
Spannung der Abflussquelle VDS 650 V
Gate-Source -Spannung VGS ±30 V
Dauerablauf current1 ) , TC = 25 Grad
ID 		32
A
Dauerablauf current1 ) , TC = 100 Grad 20
Gepulster Ablauf current2 ) , TC = 25 oC ID , Impuls 96 A
Dauerdiode vorwärts current1 ) , TC =25 Grad IST 32 A
Diode gepulst current2 ) , TC =25 oC IS , Puls 96 A
Leistung   dissipation3 )   , TC = 25   Grad PD 278 W
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5 ) EAS 648 MJ
MOSFET dv/dt Robustheit, VDS =0…480 V dv/dt 50 V/ns
Rückdiode dv/dt, VDS =0…480 V, ISD ≤ID dv/dt 50 V/ns
Betriebs- und Lagertemperatur Tstg , Tj -55 bis 150 GRAD

Thermische Eigenschaften
 
Parameter Symbol Wert Einheit
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse RθJC 0,45 C/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma- ambient4 ) RθJA 62 C/W

Elektrische Eigenschaften bei Tj =25 oC, sofern nicht anders angegeben
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle BVDSS 650     V VGS =0 V, ID =1 MA
Gate-Schwellenspannung VGS (th) 3,0   4,5 V VDS =VGS , ID =1 MA

Widerstand der Abflussquelle im ein-Zustand
RDS (EIN) 		  0,090 0,099
Ω 		VGS =10 V, ID =16 A
  0,21   VGS =10 V, ID =16 A, TJ =150 GRAD
Leckstrom der Gate-Quelle
IGSS 		    100
Entfällt 		VGS = 30 V
    -100 VGS = -30 V
Leckstrom der Abflussquelle IDSS     10 μA VDS = 650 V, VGS = 0 V.
Gate-Widerstand RG   7,8   Ω ƒ=1 MHz, offener Drain

Dynamische Merkmale
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Eingangskapazität Ciss   3988   PF
VGS =0 V, VDS =50 V,
ƒ = 100 kHz
Ausgangskapazität Coss   210   PF
Kapazität der Umkehrübertragung Crs   7,4   PF
Effektive Ausgangskapazität, energiebezogen Co (er)   124   PF
VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V
Effektive Ausgangskapazität, zeitbezogen Co (tr)   585   PF
Einschaltverzögerung td (ein)   46,0   ns
VGS =10 V, VDS =400 V, RG =2 Ω, ID =20 A
Anstiegszeit tr   60,3   ns
Verzögerungszeit ausschalten td (aus)   93,0   ns
Herbstzeit tf   3,7   ns

Gate-Ladeeigenschaften
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate Qg   66,6   NC

VGS =10 V, VDS =400 V, ID =20 A
Gate-Source -Gebühr Qgs   20,6   NC
Gate-Drain -Ladung Qgd   24,8   NC
Gate-Plateauspannung Vplateau   6,7   V

Eigenschaften Der Körperdiode
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung VSD     1,3 V IS =32 A, VGS =0 V
Rückfahrzeit trr   151,7   ns
IST = 20 A,
Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung Qrr   1,0   μC
Spitzenstrom für Rücklauf Irrm   12,3   A

Hinweis
  1. Berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur .
  2. Wiederholende Nennleistung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur .
  3. PD basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Schaltgehäuses.
  4. VDD =100 V, VGS =10 V, L=80 mH, Start Tj =25 Grad
 

 


 
 





 

 

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