AEC-Q101 qualifiziert für Automotive-Anwendungen Synchrongleichrichtungssysteme Sfs04r013ugf Pdfn5 X 6 niedrige Antriebsspannung 40V MOSFET

Modell Nr.
SFS04R013UGF PDFN5 x 6
Transportpaket
Air
Warenzeichen
Orientalsemiconductor
Herkunft
China
HS-Code
854129000
Produktionskapazität
20kkkk/Monthly
Referenzpreis
$ 1.62 - 1.80
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Produktbeschreibung

Allgemeine Beschreibung
FSMOS ® MOSFET basiert auf dem einzigartigen Gerätedesign von Oriental Semiconductor, das niedrige RDS (ON) , niedrige Gate-Ladung, schnelles Schalten und ausgezeichnete Lawineneigenschaften erzielt. Die Low Vth Serie ist speziell für synchrone Gleichrichtungssysteme mit niedriger Antriebsspannung optimiert.


Funktionen
  • Niedriger RDS (EIN) und FOM (Abbildung des Verdienstes)
  • Extrem geringe Schaltverluste                                                                  
  • Ausgezeichnete Zuverlässigkeit und Gleichmäßigkeit
  • Schnelles Umschalten und sanftes Recovery
  • AEC-Q101 qualifiziert für Automotive -Anwendungen

Anwendungen
  • Stromversorgung für Unterhaltungselektronik
  • Motorsteuerung
  • Synchrone Gleichrichtung
  • Isolierter DC/DC -Wandler
  • Inverter


Wichtige Leistungsparameter

 
Parameter Wert Einheit
VDS 40 V
ID , Impuls 600 A
RDS (EIN) MAX @ VGS =10V 1,1 MΩ
Qg 118,4 NC

Markierungsinformationen

 
Produktname Paket Markierung
SFS04R013UGF PDFN5 x 6 SFS04R013UG

 
 
Absolute Höchstwerte bei Tj =25 Grad, sofern nicht anders angegeben
 
Parameter Symbol Wert Einheit
Ablassspannung VDS 40 V
Gate-Quellenspannung VGS ±20 V
Dauerablauf current1 ) , TC = 25 Grad ID 200 A
Gepulster Ablauf current2 ) , TC = 25 oC ID , Impuls 600 A
Dauerdiode vorwärts current1 ) , TC =25 Grad IST 200 A
Diode gepulst current2 ) , TC =25 oC IS , Puls 600 A
Leistung dissipation3 ) , TC = 25 Grad PD 178 W
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5 ) EAS 144 MJ
Betriebs- und Lagertemperatur Tstg , Tj -55 bis 175 GRAD

Thermische Eigenschaften
 
Parameter Symbol Wert Einheit
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse RθJC 0,84 C/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma- ambient4 ) RθJA 62 C/W

Elektrische Eigenschaften bei Tj =25 oC, sofern nicht anders angegeben
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle BVDSS 40     V VGS =0 V, ID =250 ΜA
Gate-Schwellenspannung VGS (th) 1,2   2,5 V VDS =VGS , ID =250 ΜA
Widerstand der Abflussquelle im ein-Zustand RDS (EIN)   0,9 1,1 MΩ VGS =10 V, ID =20 A
Widerstand der Abflussquelle im ein-Zustand RDS (EIN)   1,5 2,0 MΩ VGS =6 V, ID =20 A
Leckstrom der Gate-Quelle
IGSS 		    100
Entfällt 		VGS = 20 V
    -100 VGS = -20 V
Leckstrom der Abflussquelle IDSS     1 UA VDS = 40 V, VGS = 0 V.
Gate-Widerstand RG   3,2   Ω ƒ=1 MHz, offener Drain

Dynamische Merkmale
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Eingangskapazität Ciss   5453   PF
VGS =0 V, VDS =25 V,
ƒ = 100 kHz
Ausgangskapazität Coss   1951   PF
Kapazität der Umkehrübertragung Crs   113   PF
Einschaltverzögerung td (ein)   23,9   ns
VGS =10 V, VDS =40 V, RG =2 Ω, ID =40 A
Anstiegszeit tr   16,9   ns
Verzögerungszeit ausschalten td (aus)   80,4   ns
Herbstzeit tf   97,7   ns

Gate-Ladeeigenschaften
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate Qg   85,6   NC

VGS =10 V VDS =40 V, ID =40 A,
Gate-Source -Gebühr Qgs   17,6   NC
Gate-Drain -Ladung Qgd   14,5   NC
Gate-Plateauspannung Vplateau   3,6   V

Eigenschaften Der Körperdiode
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung VSD     1,3 V IS =20 A, VGS =0 V
Rückfahrzeit trr   71,1   ns
VR = 40 V, IS = 40 A,
Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung Qrr   50,1   NC
Spitzenstrom für Rücklauf Irrm   1,2   A

Hinweis
  1. Berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur .
  2. Wiederholende Nennleistung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur .
  3. PD basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Schaltgehäuses.
  4. Der Wert von RθJA wird mit dem Gerät gemessen, das auf der Platine 1 in2 FR-4 mit 2oz montiert ist. Kupfer, in einer ruhigen Luftumgebung mit Ta =25 Grad
VDD =30 V,VG =10 V, L=0,3 mH, Start Tj =25 Grad


 
 





 

 

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