Buk9y4r8-60e SC-100 Sot-669 IC Chip Elektronische Komponenten Chip

Modell Nr.
BUK9Y4R8-60E
rds(on)-drain-source-on-resistance
4.1mΩ@ 25A, 10V
vds-Drain-Quelle Durchschlagspannung
60V
CISS - Input Maximum Capacitance at Diff
7.853NF@ 25V
Grid Charge
50nc@ 5V
Anzahl der Kanäle
1
Maximale Verlustleistung
238W(Tc)
Vgs(Th) - Gate Source Threshold Voltage
2.1V@ 1mA
Montage
Patch Mounting
Paket
Sc-100, Sot-669
Verpackung
Magazine Load, Pallet
Anwendungsebene
Automobilqualität
Konfiguration
Einzeln
Produkttyp
Elektronenkomponente
Verpackung
Band und Rolle
Transportpaket
Tray
Spezifikation
5mm*4.1mm*1.1mm
Herkunft
Shenzhen
HS-Code
8542399000
Produktionskapazität
1000000
Referenzpreis
$ 1.63 - 7.20
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Produktbeschreibung


Buk9y4r8-60e Sc-100 Sot-669 Integrated Circuit IC Chip Electronic Components Chip

Artikelstatus Aktiv
HTS 8541.29.00.95
SVHC Ja
SVHC überschreitet Schwellenwert Ja
Automobilbranche Ja
PPAP Ja
Produktkategorie Leistungs-MOSFET
Konfiguration Eine Dreifache Quelle
Prozesstechnologie TMOS
Kanalmodus Verbesserung
Maximale Spannung der Abflussquelle (V) 60
Maximale Gate-Quellspannung (V) 10
Maximale Gate-Schwellenspannung (V) 2,1
Maximaler Dauerstrom (A) 100
Maximaler Leckstrom der Gate-Quelle (Na) 100
Maximaler IDSS (UA) 10
Maximaler Widerstand der Abflussquelle (MOhm) 4,1@10V
Typische Gate-Ladung @ VGS (NC) 50@5V
Typische Eingangskapazität @ VdS (pF) 5890@25V
Maximale Verlustleistung (mW) 238000
Typische Abfallzeit (ns) 47
Typische Anstiegszeit (ns) 53
Typische Abschaltverzögerung (ns) 80
Typische Einschaltverzögerung (ns) 28
Minimale Betriebstemperatur (ºC) -55ºC
Maximale Betriebstemperatur (ºC) 175ºC
Temperaturklasse Des Lieferanten Automobilbranche
Verpackung Band und Rolle
Montage Smd
Pakethöhe 1,1 (Max.)
Paketbreite 4,1 (Max.)
Paketlänge 5 (Max.)
Leiterplatte geändert 4
Registerkarte Registerkarte
Lieferantenpaket LFPAK
Pin-Anzahl 5

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