Transistortyp | NPN |
Vce-Sättigung (Max.) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max.) | 50nA (ICBO) |
DC-Stromverstärkung (hFE) (min) @ IC, VCE | 80 @ 10mA, 5V |
Frequenz - Übergang | 300MHz |
Betriebstemperatur | -55 ~ 150 C (TJ) |
Montageart | Durchgangsbohrung |
Strom - Kollektor (Ic) (Max.) | 600 mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Ausfall (Max.) | 160 V |
Leistung - Max | 625 mW |
Basisproduktnummer | 2N5551 |