Totem-Pole Bridgeless PFC Topology AEC-Q101 RoHS Motortreiber Osg65r038hzaf TO247 VdS 650V RDS38mΩ MOSFET mit schnell wiederherstellungsfadendem Dioden-Hochspannungsregler

Modell Nr.
OSG65R038HZAF TO247
Eigenschaften
Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
Transportpaket
Air
Warenzeichen
Orientalsemiconductor
Herkunft
China
HS-Code
854129000
Produktionskapazität
20kkkk/Monthly
Referenzpreis
$ 1.62 - 1.80
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Produktbeschreibung

Allgemeine Beschreibung
Der GreenMOS ® Hochspannungs-MOSFET nutzt Ladungsausgleich-Technologie, um einen außergewöhnlich niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladung zu erreichen. Es wurde entwickelt, um Leitungsverluste zu minimieren, eine überlegene Schaltleistung und robuste Lawinenleistung zu bieten.
Die GreenMOS ® Z-Serie ist mit einer Fast Recovery Diode (FRD) integriert, um die Rückkehrzeit zu minimieren. Es eignet sich für resonante Schalttopologien, um einen höheren Wirkungsgrad, eine höhere Zuverlässigkeit und einen kleineren Formfaktor zu erreichen.

Funktionen
  • NIEDRIGER RDS (EIN) UND FOM
  • Extrem geringe Schaltverluste
  • Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
  • Ultraschnelle und robuste Diode

Anwendungen                                                                                             
  • PC -Stromversorgung
  • Telekommunikationsleistung
  • Serverleistung
  • EV -Ladegerät
  • Motortreiber

Wichtige Leistungsparameter
 
Parameter Wert Einheit
VDS , min . @ Tj (max) 700 V
ID , Impuls 240 A
RDS (EIN), MAX . @ VGS =10V 38 MΩ
Qg 175 NC

Markierungsinformationen
 
Produktname Paket Markierung
OSG65R038HZF TO247 OSG65R038HZ
Absolute Höchstwerte bei Tj =25 Grad, sofern nicht anders angegeben
 
Parameter Symbol Wert Einheit
Spannung der Abflussquelle VDS 650 V
Gate-Source -Spannung VGS ±30 V
Dauerablauf current1 ) , TC = 25 Grad
ID 		80
A
Dauerablauf current1 ) , TC = 100 Grad 50
Gepulster Ablauf current2 ) , TC = 25 oC ID , Impuls 240 A
Dauerdiode vorwärts current1 ) , TC =25 Grad IST 80 A
Diode gepulst current2 ) , TC =25 oC IS , Puls 240 A
Leistung   dissipation3 )   , TC = 25   Grad PD 500 W
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5 ) EAS 2900 MJ
MOSFET dv/dt Robustheit, VDS =0…480 V dv/dt 100 V/ns
Rückdiode dv/dt, VDS =0…480 V, ISD ≤ID dv/dt 50 V/ns
Betriebs- und Lagertemperatur Tstg , Tj -55 bis 150 GRAD

Thermische Eigenschaften
 
Parameter Symbol Wert Einheit
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse RθJC 0,25 C/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma- ambient4 ) RθJA 62 C/W

Elektrische Eigenschaften bei Tj =25 oC, sofern nicht anders angegeben
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung

Durchschlagspannung der Abflussquelle
BVDSS 		650    
V 		VGS =0 V, ID =2 MA
700 770   VGS =0 V, ID =2 mA, Tj =150 Grad Celsius
Gate -Schwellenwert
Spannung 		VGS (th) 3,0   4,5 V VDS =VGS , ID =2 MA

Abflussquelle
Widerstand im Zustand „ein“
RDS (EIN) 		  0,032 0,038
Ω 		VGS =10 V, ID =40 A
  0,083   VGS =10 V, ID =40 A, TJ =150 GRAD
Leckstrom der Gate-Quelle
IGSS 		    100
Entfällt 		VGS = 30 V
    -100 VGS = -30 V
Leckstrom der Abflussquelle IDSS     10 μA VDS = 650 V, VGS = 0 V.
Gate-Widerstand RG   2,1   Ω ƒ=1 MHz, offener Drain

Dynamische Merkmale
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Eingangskapazität Ciss   9276   PF
VGS =0 V, VDS =50 V,
ƒ = 100 kHz
Ausgangskapazität Coss     PF
Kapazität der Umkehrübertragung Crs   12,8   PF
Effektive Ausgangskapazität, energiebezogen Co (er)   278   PF
VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V
Effektive Ausgangskapazität, zeitbezogen Co (tr)   1477   PF
Einschaltverzögerung td (ein)   55,9   ns
VGS =10 V, VDS =400 V, RG =2 Ω, ID =40 A
Anstiegszeit tr   121,2   ns
Verzögerungszeit ausschalten td (aus)   114,2   ns
Herbstzeit tf   8,75   ns

Gate-Ladeeigenschaften
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate Qg   175,0   NC

VGS =10 V, VDS =400 V, ID =40 A
Gate-Source -Gebühr Qgs   40,1   NC
Gate-Drain -Ladung Qgd   76,1   NC
Gate-Plateauspannung Vplateau   6,4   V

Eigenschaften Der Körperdiode
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung VSD     1,3 V IS =80 A, VGS =0 V
Rückfahrzeit trr   180   ns
IST = 30 A,
Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung Qrr   1,5   UC
Spitzenstrom für Rücklauf Irrm   15,2   A

Hinweis
  1. Berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur .
  2. Wiederholende Nennleistung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur .
  3. PD basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Schaltgehäuses.
  4. Der Wert von RθJA wird mit dem Gerät gemessen, das auf 1 in 2 FR-4 Platine mit 2oz montiert ist. Kupfer, in einer ruhigen Luftumgebung mit Ta =25 Grad
  5. VDD =300 V, VGS =10 V, L=40 mH, Start Tj =25 Grad

 

 

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