Fuente de alimentación de modo conmutado rápido Sfgmos VDS-80V ID-840A RDS (ON) -2,6milliohm QG-148,1nc TO263 Sfg280n08kf MOSFET de canal Enhancemenn

No. de Modelo.
TO263 SFG280N08KF
Estructura
planar
Estructura de encapsulación
chip de transistor
Nivel de potencia
Alto Voltaje
Material
Germanio
Paquete de Transporte
Air
Marca Comercial
Orientalsemi
Código del HS
8541290000
Capacidad de Producción
Over 1kk/Month
Precio de referencia
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Descripción de Producto

  Descripción general
SFGMOS ®   MOSFET   se   basa   en   el         diseño de dispositivo exclusivo de Oriental Semiconductor   para   lograr     bajo RDS ( ON ) ,       baja carga de compuerta ,   conmutación rápida   y       excelentes características de avalancha . La       serie High Vth   está   especialmente optimizada   para     sistemas altos   con       una tensión de accionamiento de punto de inyección   superior    a 10V .
 

Características
         RDS( ON ) Y   FOM BAJOS
             Pérdida de conmutación extremadamente baja
         Excelente estabilidad   y   uniformidad
         Conmutación rápida   y     recuperación suave


Aplicaciones
             Fuente de alimentación conmutada
         Controlador de motor
         Protección de la batería
         Convertidor DC-DC
         Inversor solar
       UPS   e     inversor de energía


    Parámetros clave de rendimiento
 
Parámetro Valor Unidad
VDS , mín   . A TJ ( máx .) 80 V
ID ,   pulso 840 R
RDS ( ON ), MÁX   . A VGS   =10V 2,6 MΩ
QG 148,1 NC


    Valores nominales máximos absolutos   a   TJ   =25° C   a menos     que se indique lo contrario
 
Parámetro Símbolo Valor Unidad
    Tensión de la fuente de drenaje VDS 80 V
    Tensión de la fuente de la compuerta VGS ± 20 V
  Drenaje continuo   current1 ) , TC =25 ° C. ID 280 R
  Drenaje pulsado   current2 ) , TC =25 ° C. ID ,   pulso 840 R
  Diodo continuo   de avance   current1 ) , TC =25 ° C. ES 280 R
Diodo   pulsado   current2 ) , TC =25 ° C. ES , pulso 840 R
Potencia   dissipation3 ) , TC =25 ° C. PD 375 W
    Avalancha por pulsos única   energy5 ) EAS 1000 MJ
      Temperatura de funcionamiento y almacenamiento Tstg   , TJ -55 a  150 ° C


  Características térmicas
Parámetro Símbolo Valor Unidad
  Resistencia térmica , caja de conexiones RθJC 0,33 ° C / W
  Resistencia térmica , empalme - ambient4 ) RθJA 62 ° C / W


  Características eléctricas   a   TJ   =25° C   salvo     que se especifique lo contrario
 
Parámetro Símbolo Mín . Típ . Máx. Unidad   Condición de prueba
            Tensión de interrupción de la fuente de drenaje BVDSS 80     V VGS   =0   V , ID   =250 PA
  Umbral de puerta
voltaje 		VGS ( TH ) 2,0   4,0 V VDS   = VGS , ID =250 PA
Fuente de drenaje
  resistencia en estado 		RDS ( ACTIVADO )   2,4 2,6 MQ VGS   = 10 V , ID = 20 A.
Origen de puerta
  corriente de fuga
IGS 		    100
Na 		VGS   =20 V.
    -  100 VGS   = -20 V.
Fuente de drenaje
  corriente de fuga 		IDSS     1 Pa VDS   = 80 V , VGS   = 0 V.


Nota
1 )        corriente continua calculada   en función           de la temperatura de unión máxima permitida .
2 )      valor nominal repetitivo ;   ancho de pulso   limitado   por     la temperatura de unión máxima .
3 )    PD     se basa   en     la temperatura de unión máxima , utilizando       resistencia térmica de la caja de unión .
4 )        el valor     de RθJA   se   mide   con     el dispositivo   montado   en  1 en   la placa 2 FR-4   con  2oz . Cobre ,  en         un ambiente de aire quieto   con   ta =25 ° C.
5)      VDD =50 V , VGS =10 V , L =0,3 MH ,   TJ inicial   =25 ° C.


  Información para pedidos
Paquete
Tipo 		Unidades/
Carrete 		Carretes   /       Caja interior Unidades /       Caja interior   Cajas internas /   caja de cartón   Unidades /       caja de cartón  
TO263 -C 800 1 800 5 4000



  Información del producto
Producto Paquete PB   libre RoHS   Libre de halógenos
SFG280N08KF TO263 sí sí sí



 
Cadena de suministro Sfgmos Fast Switched Mode Power Supply Vds-80V ID-840A RDS (ON) -2.6milliohm Qg-148.1nc To263 Sfg280n08kf L Mosfet



Declaración de producto verde

 

 

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