IRLML0100TRPBF TRANSISTOR N-MOSFET UNIPOLARE 100 V 1,6 A 1,3 W SOT23

Model No.
IRLML0100TRPBF
pacchetto
SOT23
qualità
originale nuovo
D/C
22+
med.
INFINEON
Pacchetto di Trasporto
Box
Origine
China
Codice SA
8542399000
Capacità di Produzione
1000000PCS
Prezzo di riferimento
$ 0.15 - 180.00
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Descrizione del Prodotto

Descrizione

IRLML0100TRPBF :   Canale N 100 V 1,6 a (Ta) 1,3 W (Ta) Micro3™/SOT-23 per montaggio superficiale

MFR. N. parte : IRLML0100TRPBF

MFR.: INFINEON

Scheda tecnica:   IRLML0100TRPBF Transistor N-MOSFET unipolar 100V 1.6A 1.3W SOT23 (E-mail o chat per file PDF)

Stato ROHS:   IRLML0100TRPBF Transistor N-MOSFET unipolar 100V 1.6A 1.3W SOT23

Qualità: 100% originale

Garanzia: UN ANNO

 

Stato del prodotto
Attivo
 
Tipo FET
Canale N.
 
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
 
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V.
 
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25 °C.
1,6 A (Ta)
 
Tensione di trasmissione (RDS max ON, RDS min ON)
4,5V, 10V
 
RDS on (Max) @ Id, Vgs
220 mOhm @ 1,6 a, 10 V.
 
VGS(th) (Max) @ Id
2,5 V @ 25µA
 
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
2.5 NC @ 4.5 V.
 
VGS (max)
±16 V.
 
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
290 pF @ 25 V.
 
Funzione FET
-
 
Dissipazione di potenza (max)
1,3 W (Ta)
 
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
 
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
 
Pacchetto dispositivo fornitore
Micro3™/SOT-23
 
Confezione / contenitore
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Numero prodotto base
IRLML0100





Caratteristiche • modalità di svuotamento • canale N • valore nominale dv /dt • disponibile con indicatore V GS(th) su bobina • placcatura senza piombo Pb; conformità RoHS • senza alogeni in conformità con AEC61249-2-21 • qualificata in conformità con AEC Q101










IRLML0100TRPBF Transistor N-MOSFET unipolar 100V 1.6A 1.3W SOT23


IRLML0100TRPBF Transistor N-MOSFET unipolar 100V 1.6A 1.3W SOT23


IRLML0100TRPBF Transistor N-MOSFET unipolar 100V 1.6A 1.3W SOT23

IRLML0100TRPBF Transistor N-MOSFET unipolar 100V 1.6A 1.3W SOT23

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